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CSD87384M
MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB
Senza piombo / RoHS conforme
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 1.9V @ 250µA
- Contenitore dispositivo fornitore
- 5-PTAB (5x3.5)
- Serie
- NexFET™
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 7.7 mOhm @ 25A, 8V
- Potenza - Max
- 8W
- imballaggio
- Cut Tape (CT)
- Contenitore / involucro
- 5-LGA
- Altri nomi
- 296-40012-1
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Produttore tempi di consegna standard
- 35 Weeks
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 1150pF @ 15V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 9.2nC @ 4.5V
- Tipo FET
- 2 N-Channel (Half Bridge)
- Caratteristica FET
- Logic Level Gate
- Tensione drain-source (Vdss)
- 30V
- Descrizione dettagliata
- Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 30A 8W Surface Mount 5-PTAB (5x3.5)
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 30A
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