BDV65B
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Parametri del prodotto
- Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
- 100V
- Vce saturazione (max) a Ib, Ic
- 2V @ 20mA, 5A
- Tipo transistor
- NPN - Darlington
- Contenitore dispositivo fornitore
- SOT-93
- Serie
- -
- Potenza - Max
- 125W
- imballaggio
- Tube
- Contenitore / involucro
- TO-218-3
- temperatura di esercizio
- -65°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Livello di sensibilità umidità (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Frequenza - transizione
- -
- Descrizione dettagliata
- Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 10A 125W Through Hole SOT-93
- Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
- 1000 @ 5A, 4V
- Corrente - Cutoff collettore (max)
- 1mA
- Corrente - collettore (Ic) (max)
- 10A
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