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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
1.2V @ 250µA
Vgs (Max)
10V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
3-PICOSTAR
Serie
FemtoFET™
Rds On (max) a Id, Vgs
64 mOhm @ 500mA, 8V
Dissipazione di potenza (max)
500mW (Ta)
imballaggio
Original-Reel®
Contenitore / involucro
3-XFDFN
Altri nomi
296-44148-6
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard
35 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
347pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
2.7nC @ 4.5V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 8V
Tensione drain-source (Vdss)
30V
Descrizione dettagliata
N-Channel 30V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-PICOSTAR
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
2.3A (Ta)

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