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CSD87313DMS



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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
1.25V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore
8-WSON (3.3x3.3)
Serie
NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs
-
Contenitore / involucro
8-PowerWDFN
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Produttore tempi di consegna standard
35 Weeks
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4290pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 4.5V
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET
Standard
Tensione drain-source (Vdss)
30V
Descrizione dettagliata
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V Surface Mount 8-WSON (3.3x3.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
-

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