CSD87313DMS
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 1.25V @ 250µA
- Contenitore dispositivo fornitore
- 8-WSON (3.3x3.3)
- Serie
- NexFET™
- Rds On (max) a Id, Vgs
- -
- Contenitore / involucro
- 8-PowerWDFN
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Produttore tempi di consegna standard
- 35 Weeks
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 4290pF @ 15V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 28nC @ 4.5V
- Tipo FET
- 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Caratteristica FET
- Standard
- Tensione drain-source (Vdss)
- 30V
- Descrizione dettagliata
- Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V Surface Mount 8-WSON (3.3x3.3)
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- -
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