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STP11NM65N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
Senza piombo / RoHS conforme
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- TO-220
- Serie
- MDmesh™ II
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 455 mOhm @ 5.5A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 110W (Tc)
- imballaggio
- Tube
- Contenitore / involucro
- TO-220-3
- Altri nomi
- 497-13108-5
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 800pF @ 50V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 29nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 650V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 650V 11A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 11A (Tc)
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