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STP36N55M5
STMicroelectronics

STP36N55M5

STMicroelectronics
MOSFET N CH 550V 33A TO-220
Senza piombo / RoHS conforme

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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
5V @ 250µA
Vgs (Max)
±25V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
TO-220
Serie
MDmesh™ V
Rds On (max) a Id, Vgs
80 mOhm @ 16.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
190W (Tc)
imballaggio
Tube
Contenitore / involucro
TO-220-3
Altri nomi
497-13275-5
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo montaggio
Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard
42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2670pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Tensione drain-source (Vdss)
550V
Descrizione dettagliata
N-Channel 550V 33A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
33A (Tc)

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