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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
1V @ 250µA
Vgs (Max)
±12V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
SOT-23-3
Serie
-
Rds On (max) a Id, Vgs
110 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)
600mW (Ta)
imballaggio
Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi
DMN2230U-7DICT
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard
20 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
188pF @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)
20V
Descrizione dettagliata
N-Channel 20V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
2A (Ta)

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