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Parametri del prodotto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic
600mV @ 30mA, 300mA
Tipo transistor
PNP
Contenitore dispositivo fornitore
Mini3-G3-B-B
Serie
-
Potenza - Max
200mW
imballaggio
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi
DSA2002S0L-ND
DSA2002S0LTR
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard
11 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione
130MHz
Descrizione dettagliata
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 500mA 130MHz 200mW Surface Mount Mini3-G3-B-B
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
170 @ 150mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)
100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)
500mA
Numero di parte base
DSA2002

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