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LAPIS Semiconductor

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Parametri del prodotto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic
100mV @ 500µA, 5mA
Tipo transistor
NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore
VMT3
Serie
-
Resistor - Emitter Base (R2)
100 kOhms
Resistor - Base (R1)
100 kOhms
Potenza - Max
150mW
imballaggio
Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro
SOT-723
Altri nomi
DTC015EMT2LCT
Tipo montaggio
Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard
10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione
250MHz
Descrizione dettagliata
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 20mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)
-
Corrente - collettore (Ic) (max)
20mA

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