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Parametri del prodotto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor
NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore
SPT
Serie
-
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
Potenza - Max
300mW
imballaggio
Tape & Box (TB)
Contenitore / involucro
SC-72 Formed Leads
Tipo montaggio
Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione
250MHz
Descrizione dettagliata
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole SPT
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)
500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)
100mA
Numero di parte base
DTC123

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