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APT10SCD65K
Microsemi
DIODE SILICON 650V 17A TO220
Senza piombo / RoHS conforme
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Parametri del prodotto
- Tensione - diretta (Vf) (max) a If
- 1.8V @ 10A
- Tensione - inversa (Vr) (max)
- 650V
- Contenitore dispositivo fornitore
- TO-220 [K]
- Velocità
- No Recovery Time > 500mA (Io)
- Serie
- -
- Tempo di ripristino inverso (trr)
- 0ns
- imballaggio
- Bulk
- Contenitore / involucro
- TO-220-2
- Temperatura di funzionamento - Giunzione
- -55°C ~ 150°C
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Tipo diodo
- Silicon Carbide Schottky
- Descrizione dettagliata
- Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K]
- Corrente - Dispersione inversa a Vr
- 200µA @ 650V
- Corrente - raddrizzata media (Io)
- 17A
- Capacità a Vr, F
- 300pF @ 1V, 1MHz
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