Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > STP18NM80
STP18NM80
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 17A TO-220
Senza piombo / RoHS conforme
Richiedi prezzo e tempi di consegna
STP18NM80 sono disponibili, Possiamo fornire STP18NM80, usa il modulo di richiesta preventivo per richiedere pirce STP18NM80 e tempi di consegna.Atosn.com un distributore di componenti elettronici professionale.Abbiamo un ampio inventario e possiamo consegne veloci, contattaci oggi e il nostro rappresentante di vendita ti fornirà il prezzo ei dettagli della spedizione sulla parte n. STP18NM80.Include problemi di sdoganamento per abbinare il tuo paese, abbiamo un team di vendita professionalee il team tecnico, non vediamo l'ora di lavorare con te.
Richiedi preventivo
Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- TO-220AB
- Serie
- MDmesh™
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 295 mOhm @ 8.5A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 190W (Tc)
- imballaggio
- Tube
- Contenitore / involucro
- TO-220-3
- Altri nomi
- 497-10076-5
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Produttore tempi di consegna standard
- 42 Weeks
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 2070pF @ 50V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 70nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 800V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 800V 17A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 17A (Tc)
Prodotti Simili
- STMicroelectronics STP18NM80
- Scheda tecnica STP18NM80
- Scheda tecnica STP18NM80
- Scheda tecnica pdf STP18NM80
- Scarica la scheda tecnica STP18NM80
- Immagine STP18NM80
- STP18NM80 parte
- ST STP18NM80
- STMicroelectronics STP18NM80