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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > STD3NK80Z-1
STD3NK80Z-1
STMicroelectronics

STD3NK80Z-1

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Senza piombo / RoHS conforme

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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
4.5V @ 50µA
Vgs (Max)
±30V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
I-PAK
Serie
SuperMESH™
Rds On (max) a Id, Vgs
4.5 Ohm @ 1.25A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
70W (Tc)
imballaggio
Tube
Contenitore / involucro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi
497-12557-5
STD3NK80Z-1-ND
STD3NK80Z1
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
485pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Tensione drain-source (Vdss)
800V
Descrizione dettagliata
N-Channel 800V 2.5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
2.5A (Tc)

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