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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > 2N6661
2N6661
Micrel / Microchip Technology

2N6661

Micrel / Microchip Technology
MOSFET N-CH 90V 350MA 3TO-39
Contiene piombo / RoHS non conforme

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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
TO-39
Serie
-
Rds On (max) a Id, Vgs
4 Ohm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
6.25W (Tc)
imballaggio
Bulk
Contenitore / involucro
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Altri nomi
2N6661MC
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard
14 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS
Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 24V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)
90V
Descrizione dettagliata
N-Channel 90V 350mA (Tj) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
350mA (Tj)

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