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IRF7233
International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
Contiene piombo / RoHS non conforme
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 600mV @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±12V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- 8-SO
- Serie
- HEXFET®
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 20 mOhm @ 9.5A, 4.5V
- Dissipazione di potenza (max)
- 2.5W (Ta)
- imballaggio
- Tube
- Contenitore / involucro
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Altri nomi
- *IRF7233
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 6000pF @ 10V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 74nC @ 5V
- Tipo FET
- P-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 12V
- Descrizione dettagliata
- P-Channel 12V 9.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 9.5A (Ta)
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