Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > STB5NK50Z-1
STB5NK50Z-1
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 4.4A I2PAK
Senza piombo / RoHS conforme
Richiedi prezzo e tempi di consegna
STB5NK50Z-1 sono disponibili, Possiamo fornire STB5NK50Z-1, usa il modulo di richiesta preventivo per richiedere pirce STB5NK50Z-1 e tempi di consegna.Atosn.com un distributore di componenti elettronici professionale.Abbiamo un ampio inventario e possiamo consegne veloci, contattaci oggi e il nostro rappresentante di vendita ti fornirà il prezzo ei dettagli della spedizione sulla parte n. STB5NK50Z-1.Include problemi di sdoganamento per abbinare il tuo paese, abbiamo un team di vendita professionalee il team tecnico, non vediamo l'ora di lavorare con te.
Richiedi preventivo
Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 4.5V @ 50µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- I-PAK
- Serie
- SuperMESH™
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 70W (Tc)
- imballaggio
- Tube
- Contenitore / involucro
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 535pF @ 25V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 28nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 500V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 500V 4.4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 4.4A (Tc)
Prodotti Simili
- STMicroelectronics STB5NK50Z-1
- Scheda tecnica STB5NK50Z-1
- Scheda tecnica STB5NK50Z-1
- Scheda tecnica pdf STB5NK50Z-1
- Scarica la scheda tecnica STB5NK50Z-1
- Immagine STB5NK50Z-1
- STB5NK50Z-1 parte
- ST STB5NK50Z-1
- STMicroelectronics STB5NK50Z-1