MD2009DFX
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Parametri del prodotto
- Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
- 700V
- Vce saturazione (max) a Ib, Ic
- 2.8V @ 1.4A, 5.5A
- Tipo transistor
- NPN
- Contenitore dispositivo fornitore
- ISOWATT-218FX
- Serie
- -
- Potenza - Max
- 58W
- imballaggio
- Tube
- Contenitore / involucro
- ISOWATT218FX
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Livello di sensibilità umidità (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Frequenza - transizione
- -
- Descrizione dettagliata
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 700V 10A 58W Through Hole ISOWATT-218FX
- Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
- 5 @ 5.5A, 5V
- Corrente - Cutoff collettore (max)
- 200µA
- Corrente - collettore (Ic) (max)
- 10A
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