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STD1HNC60T4
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Contiene piombo / RoHS non conforme
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- DPAK
- Serie
- PowerMESH™ II
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 5 Ohm @ 1A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 50W (Tc)
- imballaggio
- Cut Tape (CT)
- Contenitore / involucro
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Altri nomi
- 497-2485-1
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 228pF @ 25V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 15.5nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 600V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 600V 2A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount DPAK
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 2A (Tc)
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