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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
1.25V @ 250µA
Vgs (Max)
±12V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
6-TSOP
Serie
-
Rds On (max) a Id, Vgs
55 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)
530mW (Ta), 6.25W (Tc)
imballaggio
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro
SC-74, SOT-457
Altri nomi
1727-6483-2
568-8412-2
568-8412-2-ND
934064772115
PMN48XP115
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Tipo FET
P-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)
20V
Descrizione dettagliata
P-Channel 20V 4.1A (Ta) 530mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
4.1A (Ta)

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