PMN80XP,115
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 1V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±12V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- 6-TSOP
- Serie
- -
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 102 mOhm @ 2.5A, 4.5V
- Dissipazione di potenza (max)
- 385mW (Ta)
- imballaggio
- Tape & Reel (TR)
- Contenitore / involucro
- SC-74, SOT-457
- Altri nomi
- 1727-1363-2
568-10806-2
568-10806-2-ND
934066578115
PMN80XP,115-ND
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Livello di sensibilità umidità (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 550pF @ 10V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 7.5nC @ 4.5V
- Tipo FET
- P-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.8V, 4.5V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 20V
- Descrizione dettagliata
- P-Channel 20V 2.5A (Ta) 385mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 2.5A (Ta)
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