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STF260N4F7
STMicroelectronics

STF260N4F7

STMicroelectronics
MOSFET

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    Parametri del prodotto

    Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
    Vgs (Max)
    ±20V
    Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
    Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220FP
    Serie
    STripFET™ F7
    Rds On (max) a Id, Vgs
    2.5 mOhm @ 60A, 10V
    Dissipazione di potenza (max)
    35W (Tc)
    Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack
    temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo montaggio
    Through Hole
    Produttore tempi di consegna standard
    38 Weeks
    Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    5640pF @ 25V
    Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    67nC @ 10V
    Tipo FET
    N-Channel
    Caratteristica FET
    -
    Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
    Tensione drain-source (Vdss)
    40V
    Descrizione dettagliata
    N-Channel 40V 90A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
    Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    90A (Tc)

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