SCT20N120
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 3.5V @ 1mA
- Vgs (Max)
- +25V, -10V
- Tecnologia
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- HiP247™
- Serie
- -
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 290 mOhm @ 10A, 20V
- Dissipazione di potenza (max)
- 175W (Tc)
- imballaggio
- Tube
- Contenitore / involucro
- TO-247-3
- Altri nomi
- 497-15170
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 200°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Livello di sensibilità umidità (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 650pF @ 400V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 45nC @ 20V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 20V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 1200V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 1200V 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 20A (Tc)
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