SGSD200
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Parametri del prodotto
- Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
- 80V
- Vce saturazione (max) a Ib, Ic
- 3.5V @ 80mA, 20A
- Tipo transistor
- PNP - Darlington
- Contenitore dispositivo fornitore
- TO-247-3
- Serie
- -
- Potenza - Max
- 130W
- imballaggio
- Tube
- Contenitore / involucro
- TO-247-3
- Altri nomi
- 497-7422-5
SGSD200-ND
- temperatura di esercizio
- -
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Livello di sensibilità umidità (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Frequenza - transizione
- -
- Descrizione dettagliata
- Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 25A 130W Through Hole TO-247-3
- Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
- 500 @ 10A, 3V
- Corrente - Cutoff collettore (max)
- 500µA
- Corrente - collettore (Ic) (max)
- 25A
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