STB120N4LF6
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 3V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- D2PAK
- Serie
- Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 4 mOhm @ 40A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 110W (Tc)
- imballaggio
- Tape & Reel (TR)
- Contenitore / involucro
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Altri nomi
- 497-11096-2
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Livello di sensibilità umidità (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Produttore tempi di consegna standard
- 38 Weeks
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 4300pF @ 25V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 80nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 5V, 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 40V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 40V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 80A (Tc)
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