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STB150NF04
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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
D2PAK
Serie
STripFET™ II
Rds On (max) a Id, Vgs
7 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
300W (Tc)
imballaggio
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi
497-8805-2
STB150NF04-ND
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
3650pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Tensione drain-source (Vdss)
40V
Descrizione dettagliata
N-Channel 40V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
80A (Tc)

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