STB200N6F3
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- D2PAK
- Serie
- STripFET™
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 3.6 mOhm @ 60A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 330W (Tc)
- imballaggio
- Cut Tape (CT)
- Contenitore / involucro
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Altri nomi
- 497-10025-1
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Livello di sensibilità umidità (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 6800pF @ 25V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 100nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 60V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 60V 120A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 120A (Tc)
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