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Parametri del prodotto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
400V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic
500mV @ 200mA, 1A
Tipo transistor
NPN, PNP
Contenitore dispositivo fornitore
8-DIP
Serie
-
Potenza - Max
3W
imballaggio
Tube
Contenitore / involucro
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Altri nomi
497-12244
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo montaggio
Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione
-
Descrizione dettagliata
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 400V 3A 3W Through Hole 8-DIP
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
18 @ 700mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)
100µA
Corrente - collettore (Ic) (max)
3A

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