STD830CP40
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Parametri del prodotto
- Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
- 400V
- Vce saturazione (max) a Ib, Ic
- 500mV @ 200mA, 1A
- Tipo transistor
- NPN, PNP
- Contenitore dispositivo fornitore
- 8-DIP
- Serie
- -
- Potenza - Max
- 3W
- imballaggio
- Tube
- Contenitore / involucro
- 8-DIP (0.300", 7.62mm)
- Altri nomi
- 497-12244
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Livello di sensibilità umidità (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Frequenza - transizione
- -
- Descrizione dettagliata
- Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 400V 3A 3W Through Hole 8-DIP
- Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
- 18 @ 700mA, 5V
- Corrente - Cutoff collettore (max)
- 100µA
- Corrente - collettore (Ic) (max)
- 3A
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