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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
5V @ 250µA
Vgs (Max)
±30V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
ISOTOP®
Serie
MDmesh™
Rds On (max) a Id, Vgs
100 mOhm @ 24A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
450W (Tc)
imballaggio
Tube
Contenitore / involucro
ISOTOP
Altri nomi
497-3170-5
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo montaggio
Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard
42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
3700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
117nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Tensione drain-source (Vdss)
550V
Descrizione dettagliata
N-Channel 550V 48A (Tc) 450W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
48A (Tc)

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