STFI10N65K3
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 4.5V @ 100µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- I2PAKFP (TO-281)
- Serie
- SuperMESH3™
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 1 Ohm @ 3.6A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 35W (Tc)
- imballaggio
- Tube
- Contenitore / involucro
- TO-262-3 Full Pack, I²Pak
- Altri nomi
- 497-13578-5
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Livello di sensibilità umidità (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 1180pF @ 25V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 42nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 650V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 650V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 10A (Tc)
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