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STH240N10F7-6
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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
4.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
H2PAK-6
Serie
STripFET™ F7
Rds On (max) a Id, Vgs
2.5 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
300W (Tc)
imballaggio
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Altri nomi
497-15312-2
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard
38 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
11550pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Tensione drain-source (Vdss)
100V
Descrizione dettagliata
N-Channel 100V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
180A (Tc)

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