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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max)
±20V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
PowerFlat™ (5x6)
Serie
STripFET™ H6
Rds On (max) a Id, Vgs
10.5 mOhm @ 7A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
100W (Tc)
imballaggio
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro
8-PowerVDFN
Altri nomi
497-15481-2
temperatura di esercizio
175°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard
38 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
3350pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 4.5V
Tipo FET
P-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)
30V
Descrizione dettagliata
P-Channel 30V 62A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
62A (Tc)

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