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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
1V @ 250µA
Vgs (Max)
±16V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
SOT-223
Serie
STripFET™ II
Rds On (max) a Id, Vgs
50 mOhm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
3.3W (Tc)
imballaggio
Original-Reel®
Contenitore / involucro
TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi
497-4525-6
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)
30V
Descrizione dettagliata
N-Channel 30V 6.5A (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
6.5A (Tc)

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