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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
450mV @ 250µA
Vgs (Max)
±8V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
SOT-223
Serie
STripFET™ II
Rds On (max) a Id, Vgs
80 mOhm @ 2.1A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Tc)
imballaggio
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro
TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi
497-4364-2
STN5PF20V
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
412pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 2.5V
Tipo FET
P-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)
20V
Descrizione dettagliata
P-Channel 20V 4.2A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
4.2A (Tc)

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