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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Atosn STCOK. > STP180N4F6
STP180N4F6
STMicroelectronics

STP180N4F6

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    Parametri del prodotto

    Vgs (th) (max) a Id
    -
    Vgs (Max)
    -
    Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
    Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220
    Serie
    STripFET™ F6
    Rds On (max) a Id, Vgs
    -
    Dissipazione di potenza (max)
    190W (Tc)
    imballaggio
    Tube
    Contenitore / involucro
    TO-220-3
    temperatura di esercizio
    -
    Tipo montaggio
    Through Hole
    Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
    Produttore tempi di consegna standard
    38 Weeks
    Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
    Tipo FET
    N-Channel
    Caratteristica FET
    -
    Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
    Tensione drain-source (Vdss)
    40V
    Descrizione dettagliata
    N-Channel 40V 120A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
    Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

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