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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
TO-220AB
Serie
STripFET™ II
Rds On (max) a Id, Vgs
4.5 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
300W (Tc)
imballaggio
Tube
Contenitore / involucro
TO-220-3
Altri nomi
497-4386-5
temperatura di esercizio
175°C (TJ)
Tipo montaggio
Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
5500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 4.5V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)
30V
Descrizione dettagliata
N-Channel 30V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
80A (Tc)

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