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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore
8-SO
Serie
STripFET™
Rds On (max) a Id, Vgs
90 mOhm @ 2A, 10V
Potenza - Max
2W
imballaggio
Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi
497-8041-1
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
315pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET
Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)
60V
Descrizione dettagliata
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4A 2W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
4A
Numero di parte base
ST*4DNF

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