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STS4DNF30L
STMicroelectronics

STS4DNF30L

STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Senza piombo / RoHS conforme

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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore
8-SO
Serie
STripFET™
Rds On (max) a Id, Vgs
50 mOhm @ 2A, 10V
Potenza - Max
2W
imballaggio
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi
497-5251-2
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 10V
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET
Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)
30V
Descrizione dettagliata
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 2W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
4A
Numero di parte base
ST*4DNF

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