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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
450mV @ 250µA
Vgs (Max)
±8V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
SOT-23-6
Serie
STripFET™ II
Rds On (max) a Id, Vgs
80 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)
1.6W (Tc)
imballaggio
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro
SOT-23-6
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
412pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
4.5nC @ 2.5V
Tipo FET
P-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)
20V
Descrizione dettagliata
P-Channel 20V 5A (Tc) 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
5A (Tc)

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