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STT4P3LLH6
STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
Senza piombo / RoHS conforme
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 2.5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- SOT-23-6
- Serie
- DeepGATE™, STripFET™ H6
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 56 mOhm @ 2A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 1.6W (Ta)
- imballaggio
- Cut Tape (CT)
- Contenitore / involucro
- SOT-23-6
- Altri nomi
- 497-15521-1
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Produttore tempi di consegna standard
- 38 Weeks
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 639pF @ 25V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 6nC @ 4.5V
- Tipo FET
- P-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 30V
- Descrizione dettagliata
- P-Channel 30V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 4A (Ta)
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