STU10P6F6
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- IPAK (TO-251)
- Serie
- DeepGATE™, STripFET™ VI
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 160 mOhm @ 5A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 35W (Tc)
- imballaggio
- Tube
- Contenitore / involucro
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Altri nomi
- 497-13884-5
- temperatura di esercizio
- 175°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Livello di sensibilità umidità (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 340pF @ 48V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 6.4nC @ 10V
- Tipo FET
- P-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 60V
- Descrizione dettagliata
- P-Channel 60V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 10A (Tc)
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