Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > STU12N60M2
STU12N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
Senza piombo / RoHS conforme
Richiedi prezzo e tempi di consegna
STU12N60M2 sono disponibili, Possiamo fornire STU12N60M2, usa il modulo di richiesta preventivo per richiedere pirce STU12N60M2 e tempi di consegna.Atosn.com un distributore di componenti elettronici professionale.Abbiamo un ampio inventario e possiamo consegne veloci, contattaci oggi e il nostro rappresentante di vendita ti fornirà il prezzo ei dettagli della spedizione sulla parte n. STU12N60M2.Include problemi di sdoganamento per abbinare il tuo paese, abbiamo un team di vendita professionalee il team tecnico, non vediamo l'ora di lavorare con te.
Richiedi preventivo
Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- I-PAK
- Serie
- MDmesh™ M2
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 450 mOhm @ 4.5A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 85W (Tc)
- imballaggio
- Tube
- Contenitore / involucro
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Altri nomi
- 497-16024-5
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 538pF @ 100V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 16nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 600V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 600V 9A (Tc) 85W (Tc) Through Hole I-PAK
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 9A (Tc)
Prodotti Simili
- STMicroelectronics STU12N60M2
- Scheda tecnica STU12N60M2
- Scheda tecnica STU12N60M2
- Scheda tecnica pdf STU12N60M2
- Scarica la scheda tecnica STU12N60M2
- Immagine STU12N60M2
- STU12N60M2 parte
- ST STU12N60M2
- STMicroelectronics STU12N60M2