STW63N65DM2
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- -
- Vgs (Max)
- -
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- TO-247
- Serie
- FDmesh™ II Plus
- Rds On (max) a Id, Vgs
- -
- Dissipazione di potenza (max)
- -
- Contenitore / involucro
- TO-247-3
- temperatura di esercizio
- -
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Produttore tempi di consegna standard
- 42 Weeks
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 145nC @ 100V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- -
- Tensione drain-source (Vdss)
- 650V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 650V 65A Through Hole TO-247
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 65A
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