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STW5NK100Z
STMicroelectronics

STW5NK100Z

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO-247
Senza piombo / RoHS conforme

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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
4.5V @ 100µA
Vgs (Max)
±30V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
TO-247-3
Serie
SuperMESH3™
Rds On (max) a Id, Vgs
3.7 Ohm @ 1.75A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
imballaggio
Tube
Contenitore / involucro
TO-247-3
Altri nomi
497-7623-5
STW5NK100Z-ND
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard
38 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1154pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
59nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Tensione drain-source (Vdss)
1000V
Descrizione dettagliata
N-Channel 1000V 3.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
3.5A (Tc)

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