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CSD17577Q3A


MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Senza piombo / RoHS conforme

    Richiedi prezzo e tempi di consegna

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    Parametri del prodotto

    Vgs (th) (max) a Id
    1.8V @ 250µA
    Vgs (Max)
    ±20V
    Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
    Contenitore dispositivo fornitore
    8-VSONP (3x3.15)
    Serie
    NexFET™
    Rds On (max) a Id, Vgs
    4.8 mOhm @ 16A, 10V
    Dissipazione di potenza (max)
    2.8W (Ta), 53W (Tc)
    imballaggio
    Tape & Reel (TR)
    Contenitore / involucro
    8-PowerVDFN
    Altri nomi
    296-39995-2
    CSD17577Q3A-ND
    temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo montaggio
    Surface Mount
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
    Produttore tempi di consegna standard
    35 Weeks
    Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
    Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2310pF @ 15V
    Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    35nC @ 10V
    Tipo FET
    N-Channel
    Caratteristica FET
    -
    Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
    Tensione drain-source (Vdss)
    30V
    Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 35A (Ta) 2.8W (Ta), 53W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.15)
    Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    35A (Ta)

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