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CSD17575Q3
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Contiene piombo / RoHS conforme
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 1.8V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- 8-VSONP (5x6)
- Serie
- NexFET™
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 2.3 mOhm @ 25A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 2.8W (Ta), 108W (Tc)
- imballaggio
- Tape & Reel (TR)
- Contenitore / involucro
- 8-PowerTDFN
- Altri nomi
- 296-39994-2
CSD17575Q3-ND
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Produttore tempi di consegna standard
- 35 Weeks
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Contains lead / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 4420pF @ 15V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 30nC @ 4.5V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 30V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 30V 60A (Ta) 2.8W (Ta), 108W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 60A (Ta)
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