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STL33N65M2
STMicroelectronics
N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP.,
Senza piombo / RoHS conforme
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- PowerFlat™ (8x8) HV
- Serie
- MDmesh™
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 154 mOhm @ 10A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 150W (Tc)
- imballaggio
- Cut Tape (CT)
- Contenitore / involucro
- 8-PowerVDFN
- Altri nomi
- 497-16939-1
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Produttore tempi di consegna standard
- 42 Weeks
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 1790pF @ 100V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 41.5nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 650V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 650V 20A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 20A (Tc)
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