STL35N75LF3
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 2.4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- PowerFlat™ (3.3x3.3)
- Serie
- -
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 25 mOhm @ 4A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 50W (Tc)
- Contenitore / involucro
- 8-PowerVDFN
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 800pF @ 50V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 7.5nC @ 4.5V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 75V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 75V 32A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 32A (Tc)
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