Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > STD12NM50N
STD12NM50N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
Senza piombo / RoHS conforme
Richiedi prezzo e tempi di consegna
STD12NM50N sono disponibili, Possiamo fornire STD12NM50N, usa il modulo di richiesta preventivo per richiedere pirce STD12NM50N e tempi di consegna.Atosn.com un distributore di componenti elettronici professionale.Abbiamo un ampio inventario e possiamo consegne veloci, contattaci oggi e il nostro rappresentante di vendita ti fornirà il prezzo ei dettagli della spedizione sulla parte n. STD12NM50N.Include problemi di sdoganamento per abbinare il tuo paese, abbiamo un team di vendita professionalee il team tecnico, non vediamo l'ora di lavorare con te.
Richiedi preventivo
Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- DPAK
- Serie
- MDmesh™ II
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 380 mOhm @ 5.5A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 100W (Tc)
- imballaggio
- Original-Reel®
- Contenitore / involucro
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Altri nomi
- 497-5784-6
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 940pF @ 50V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 30nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 500V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 500V 11A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 11A (Tc)
Prodotti Simili
- STMicroelectronics STD12NM50N
- Scheda tecnica STD12NM50N
- Scheda tecnica STD12NM50N
- Scheda tecnica pdf STD12NM50N
- Scarica la scheda tecnica STD12NM50N
- Immagine STD12NM50N
- STD12NM50N parte
- ST STD12NM50N
- STMicroelectronics STD12NM50N