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STD12NF06L-1
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Senza piombo / RoHS conforme
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 2V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±16V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- I-PAK
- Serie
- STripFET™ II
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 100 mOhm @ 6A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 42.8W (Tc)
- imballaggio
- Tube
- Contenitore / involucro
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Altri nomi
- 497-6730-5
STD12NF06L-1-ND
STD12NF06L1
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 350pF @ 25V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 10nC @ 5V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 5V, 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 60V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 60V 12A (Tc) 42.8W (Tc) Through Hole I-PAK
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 12A (Tc)
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