Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > STB50NE10T4
STB50NE10T4
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
Senza piombo / RoHS conforme
Richiedi prezzo e tempi di consegna
STB50NE10T4 sono disponibili, Possiamo fornire STB50NE10T4, usa il modulo di richiesta preventivo per richiedere pirce STB50NE10T4 e tempi di consegna.Atosn.com un distributore di componenti elettronici professionale.Abbiamo un ampio inventario e possiamo consegne veloci, contattaci oggi e il nostro rappresentante di vendita ti fornirà il prezzo ei dettagli della spedizione sulla parte n. STB50NE10T4.Include problemi di sdoganamento per abbinare il tuo paese, abbiamo un team di vendita professionalee il team tecnico, non vediamo l'ora di lavorare con te.
Richiedi preventivo
Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- D2PAK
- Serie
- STripFET™
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 27 mOhm @ 25A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 180W (Tc)
- imballaggio
- Tape & Reel (TR)
- Contenitore / involucro
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- temperatura di esercizio
- -65°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 6000pF @ 25V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 166nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 100V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 100V 50A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D2PAK
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 50A (Tc)
Prodotti Simili
- STMicroelectronics STB50NE10T4
- Scheda tecnica STB50NE10T4
- Scheda tecnica STB50NE10T4
- Scheda tecnica pdf STB50NE10T4
- Scarica la scheda tecnica STB50NE10T4
- Immagine STB50NE10T4
- STB50NE10T4 parte
- ST STB50NE10T4
- STMicroelectronics STB50NE10T4